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半导体电子学家王守觉
摘要:

王守觉,男,汉族,生于1925年6月27日,祖籍江苏苏州,生于上海,中国科学院院士,半导体电子学家。1949年毕业于同济大学;1957年,被派往苏联科学院列宁格勒列别捷夫研究所进修;...

姓名: 王守觉

民族: 汉族

籍贯: 上海

学历: 同济大学

职业: 半导体电子学家

出生地址: 上海

出生日期: 1925年6月27日

取得成就

主要成就: 中国科学院院士、获得北京市科技进步奖一等奖
代表作品: 《多维空间仿生信息学入门》等
个人资料/履历

王守觉,男,汉族,生于1925年6月27日,祖籍江苏苏州,生于上海,中国科学院院士,半导体电子学家。1949年毕业于同济大学;1957年,被派往苏联科学院列宁格勒列别捷夫研究所进修;1980年,当选为中国科学院院士;2016年6月3日凌晨,王守觉因病医治无效在苏州逝世,享年91岁。

人物经历
1925年6月27日,王守觉出生在上海。
1936年,11岁的王守觉进入苏州东吴大学附中读初中。
1942年夏天,王守觉考入西南联大的电讯专修科学习。
1944年秋,国民政府发起知识青年从军运动,同济大学召开动员大会,学生踊跃响应,共三百多人报名参军,王守觉也在其中。
1946年,王守觉复员后到已迁至上海的同济大学继续学习。
1949年,王守觉以优异的成绩从上海同济大学毕业。
1949年至1950年,在中国科学院应用物理研究所工作任助理员。
1953年至1956年,在第一机械工业部第二设计分局任主任设计师。
1956年至1960年,在中国科学院物理研究所任副研究员。
1957年至1958年,王守觉被派往苏联科学院列宁格勒列别捷夫研究所进修。
1960年以来,在中国科学院半导体研究所,先后担任研究员、室主任、副所长、所长等。
1980年,当选为中国科学院院士(学部委员)。
2016年6月3日,凌晨零点五分,王守觉因病医治无效在苏州逝世,享年91岁。

荣誉成就
1948年,因成绩优异而获得国民政府教育部设置的“中正”奖学金。
1955年,上海市工业建筑业交通运输业商业劳动模范。
1956年,全国机械工业系统先进工作者。
1980年,中国科学院院士。
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